Dünnschichtoxide mit hoher Dielektrizitätskonstante, wie Al2O3, HfO2 and ZrO2, spielen eine wesentliche Rolle in der Halbleiterforschung und -technologie. Sie werden in nahezu allen Bauelementen der Mikroelektronik eingesetzt. Darüber hinaus finden sie Anwendung in unterschiedlichen Gebieten der Elektronik, Optoelektronik, Energiekonversion und -speicherung.
In diesem Vortrag berichten wir über unsere Bemühungen zur Herstellung und Optimierung solcher Schichten für unterschiedliche Anwendungen. Im Fokus stehen die Passiviereigenschaften der Oxide für die Si-Photovoltaik [1] und Nitridelektronik [2] als auch die Einbettung von Si- und Ge-Nanokristallen für elektronische [3] und optische [4] Anwendungen.
[1] Schmid, A.; Schröter, Ch.; Otto, R.; Schuster, M.; Klemm, V.; Rafaja, D.; Heitmann, J., Appl. Phys. Lett. 106, 053509 (2015)
[2] F. Kersten, A. Schmid, S. Bordihn, J. W. Müller, J. Heitmann, Energy Procedia, 38, p. 843, (2013)
[3] D. Lehninger, P. Seidel, M. Geyer, F. Schneider, V. Klemm, D. Rafaja, J. von Borany, J. Heitmann, Appl. Phys. Lett. 106, 023116 (2015)
[4] Hoffmann, R.; Beyer, J.; Klemm, V., Rafaja, D.; Johnson, B. C.; McCallum, J. C.; Heitmann, J.: Erbium-doped slot waveguides containing size-controlled silicon nanocrystals. J. Appl. Phys. 117, 163106 (2015)
* August16, 1973
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zuletzt geändert am: 21.04.2016 13:29 Uhr von M.Bräutigam
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